積層型鐵氧晶片磁珠
積層型鐵氧晶片磁珠是有效抑制雜訊的重要元件,具有鐵氧體、銀內部導體和 Ag/Ni/Sn 端子電極。它確保了最佳性能,是有效抑制雜訊的重要組成部分。
1500Ω, 300mA, 2029 高頻電感/積層型鐵氧晶片磁珠
MU2029152YS
1500Ω、300mA Maltilayer片式磁珠,設計用於使用鐵氧體、銀內導體和Ag/Ni/Sn端子電極,確保最佳性能,是有效抑制噪聲的重要組成部分。符合RoHS要求和無鹵素,優先考慮環境安全。選擇多層片式磁珠可實現可靠、高效的降噪。
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MU2029102YS
1000Ω、300mA Maltilayer片式磁珠,設計用於使用鐵氧體、銀內導體和Ag/Ni/Sn端子電極,確保最佳性能,是有效抑制噪聲的重要組成部分。符合RoHS要求和無鹵素,優先考慮環境安全。選擇多層片式磁珠可實現可靠、高效的降噪。
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MU2029601YS
600Ω、300mA Maltilayer片式磁珠,設計用於使用鐵氧體、銀內導體和Ag/Ni/Sn端子電極,確保最佳性能,是有效抑制噪聲的重要組成部分。符合RoHS要求和無鹵素,優先考慮環境安全。選擇多層片式磁珠可實現可靠、高效的降噪。
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MU2029531YS
530Ω、300mA Maltilayer片式磁珠,設計用於使用鐵氧體、銀內導體和Ag/Ni/Sn端子電極,確保最佳性能,是有效抑制噪聲的重要組成部分。符合RoHS要求和無鹵素,優先考慮環境安全。選擇多層片式磁珠可實現可靠、高效的降噪。
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MU2029401YS
400Ω、300mA Maltilayer片式磁珠,設計用於使用鐵氧體、銀內導體和Ag/Ni/Sn端子電極,確保最佳性能,是有效抑制噪聲的重要組成部分。符合RoHS要求和無鹵素,優先考慮環境安全。選擇多層片式磁珠可實現可靠、高效的降噪。
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MU2029301YS
300Ω、300mA Maltilayer片式磁珠,設計用於使用鐵氧體、銀內導體和Ag/Ni/Sn端子電極,確保最佳性能,是有效抑制噪聲的重要組成部分。符合RoHS要求和無鹵素,優先考慮環境安全。選擇多層片式磁珠可實現可靠、高效的降噪。
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MU2029221YS
220Ω、300mA Maltilayer片式磁珠,設計用於使用鐵氧體、銀內導體和Ag/Ni/Sn端子電極,確保最佳性能,是有效抑制噪聲的重要組成部分。符合RoHS要求和無鹵素,優先考慮環境安全。選擇多層片式磁珠可實現可靠、高效的降噪。
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MU2029151YS
150Ω、300mA Maltilayer片式磁珠,設計用於使用鐵氧體、銀內導體和Ag/Ni/Sn端子電極,確保最佳性能,是有效抑制噪聲的重要組成部分。符合RoHS要求和無鹵素,優先考慮環境安全。選擇多層片式磁珠可實現可靠、高效的降噪。
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MU2029121YS
120Ω、300mA Maltilayer片式磁珠,設計用於使用鐵氧體、銀內導體和Ag/Ni/Sn端子電極,確保最佳性能,是有效抑制噪聲的重要組成部分。符合RoHS要求和無鹵素,優先考慮環境安全。選擇多層片式磁珠可實現可靠、高效的降噪。
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MU2029101YS
100Ω、300mA Maltilayer片式磁珠,設計用於使用鐵氧體、銀內導體和Ag/Ni/Sn端子電極,確保最佳性能,是有效抑制噪聲的重要組成部分。符合RoHS要求和無鹵素,優先考慮環境安全。選擇多層片式磁珠可實現可靠、高效的降噪。
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MU2029800YS
80Ω、300mA Maltilayer片式磁珠,設計用於使用鐵氧體、銀內導體和Ag/Ni/Sn端子電極,確保最佳性能,是有效抑制噪聲的重要組成部分。符合RoHS要求和無鹵素,優先考慮環境安全。選擇多層片式磁珠可實現可靠、高效的降噪。
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MU2029600YS
60Ω、300mA Maltilayer片式磁珠,設計用於使用鐵氧體、銀內導體和Ag/Ni/Sn端子電極,確保最佳性能,是有效抑制噪聲的重要組成部分。符合RoHS要求和無鹵素,優先考慮環境安全。選擇多層片式磁珠可實現可靠、高效的降噪。
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